Method for evaluating defective region of semiconductor substrate

WO2015198510 Art A1 30. Dezember 2015

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015198510
Aktenzeichen: EP15811546
Anmeldetag: 16. März 2015
Veröffentlichung: 30. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66C30B29/06C30B33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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