Passivation method for semiconductor material

WO2015198695 Art A1 30. Dezember 2015

Anmelder: National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology, Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015198695
Aktenzeichen: EP15812112
Anmeldetag: 15. April 2015
Veröffentlichung: 30. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0216H01L21/316H01L31/062H01L31/068H01L31/075

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology
Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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