Structures for nitride vertical transistors

WO2015200885 Art A1 30. Dezember 2015

Anmelder: Massachusetts Institute Of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015200885
Aktenzeichen: EP15734547
Anmeldetag: 26. Juni 2015
Veröffentlichung: 30. Dezember 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/812H01L29/808H01L29/06H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute Of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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