Heat treatment method for silicon single crystal wafer

WO2016002123 Art A1 7. Januar 2016

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016002123
Aktenzeichen: EP15815172
Anmeldetag: 18. Mai 2015
Veröffentlichung: 7. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/322C30B29/06C30B33/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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