Method for producing passivation layer formation composition, semiconductor substrate provided with passivation layer, method for producing same, solar cell element, method for producing same, and solar cell
WO2016002902
Art A1
7. Januar 2016
Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016002902
- Aktenzeichen
- EP15814133
- Anmeldetag
- 2. Juli 2015
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/0216H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi Chemical
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.
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