Circuitry for ferroelectric fet-based dynamic random access memory and non-volatile memory
WO2016004388
Art A1
7. Januar 2016
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016004388
- Aktenzeichen
- EP15814839
- Anmeldetag
- 2. Juli 2015
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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