Method for producing sic wafer, method for producing sic semiconductor, and graphite-silicon carbide composite substrate

WO2016006641 Art A1 14. Januar 2016

Anmelder: Ibiden Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016006641
Aktenzeichen: EP15819756
Anmeldetag: 8. Juli 2015
Veröffentlichung: 14. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Ibiden Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Ibiden

Ibiden ist ein japanischer Hersteller elektronischer Materialien mit Sitz in Ogaki, spezialisiert auf IC-Substrate für Halbleiter sowie Keramikprodukte für die Automobil- und Elektronikindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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