Complex light annealing and sintering method for semiconductor oxide, using intense pulsed light, near infrared ray and far ultraviolet ray

WO2016006787 Art A1 14. Januar 2016

Anmelder: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016006787
Aktenzeichen: EP15819361
Anmeldetag: 16. Februar 2015
Veröffentlichung: 14. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C09D11/52H01B1/14H01B5/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

503 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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