Method for selectively depositing a layer on a three dimensional structure

WO2016007487 Art A1 14. Januar 2016

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., Ruffell, Simon, Omstead, Thomas R., Renau, Anthony 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016007487
Aktenzeichen: EP15818801
Anmeldetag: 7. Juli 2015
Veröffentlichung: 14. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Ruffell, Simon
Omstead, Thomas R.
Renau, Anthony
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von