Method for forming nitride semiconductor layer and method for manufacturing semiconductor device

WO2016009577 Art A1 21. Januar 2016

Anmelder: Canon Anelva Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016009577
Aktenzeichen: EP15822667
Anmeldetag: 17. März 2015
Veröffentlichung: 21. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203C23C14/06C23C14/34C30B23/08C30B29/38H01L21/205H01L33/32H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Canon Anelva Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon Anelva

Canon Anelva ist ein japanischer Hersteller von Vakuum- und Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie und Teil des Canon-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Oberflächentechnik, ergänzt um Schaltungstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2024 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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