Method for manufacturing semiconductor substrate having n-type diffusion layer, and method for manufacturing solar cell element

WO2016010095 Art A1 21. Januar 2016

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016010095
Aktenzeichen: EP15821562
Anmeldetag: 15. Juli 2015
Veröffentlichung: 21. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L31/068H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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