Fin Field Effect Transistor

WO2016010336 Art A1 21. Januar 2016

Anmelder: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016010336
Aktenzeichen: EP15821571
Anmeldetag: 14. Juli 2015
Veröffentlichung: 21. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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