Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2016013471 Art A1 28. Januar 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016013471
Aktenzeichen: EP15824902
Anmeldetag: 15. Juli 2015
Veröffentlichung: 28. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L29/12H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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