Composition for forming upper-layer resist film, and method for manufacturing semiconductor device using said composition

WO2016013598 Art A1 28. Januar 2016

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016013598
Aktenzeichen: EP15825507
Anmeldetag: 23. Juli 2015
Veröffentlichung: 28. Januar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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