Fast preparation method for large area monocrystalline silicon substrate with surface-enhanced raman spectrum
WO2016015599
Art A1
4. Februar 2016
Anmelder: Beijing University Of Technology 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016015599
- Aktenzeichen
- EP15826567
- Anmeldetag
- 24. Juli 2015
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01N21/65C23C14/35C23C14/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Beijing University Of Technology
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Beijing University of Technology
Die Beijing University of Technology ist eine staatliche Hochschule in China mit breit gefächerter technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Software, Mess- und Prüftechnik, anorganische Chemie sowie Halbleiter- und Fertigungstechnik. Die Anmeldungen seit 2007 reichen von neuronaler Stimulationstechnik bis zu Werkstoff- und Oberflächentechnik.
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