Fast preparation method for large area monocrystalline silicon substrate with surface-enhanced raman spectrum

WO2016015599 Art A1 4. Februar 2016

Anmelder: Beijing University Of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2016015599
Aktenzeichen
EP15826567
Anmeldetag
24. Juli 2015
Veröffentlichung
4. Februar 2016
Rechtsraum
WO
IPC
G01N21/65C23C14/35C23C14/16
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Beijing University Of Technology
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Beijing University of Technology

Die Beijing University of Technology ist eine staatliche Hochschule in China mit breit gefächerter technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Software, Mess- und Prüftechnik, anorganische Chemie sowie Halbleiter- und Fertigungstechnik. Die Anmeldungen seit 2007 reichen von neuronaler Stimulationstechnik bis zu Werkstoff- und Oberflächentechnik.

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