Method of manufacturing semiconductor device

WO2016016761 Art A1 4. Februar 2016

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016016761
Aktenzeichen: EP15826301
Anmeldetag: 17. Juli 2015
Veröffentlichung: 4. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/28H01L21/336H01L21/8238H01L27/08H01L27/088H01L27/092H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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