N-Type Aluminum Nitride Monocrystalline Substrate

WO2016017480 Art A1 4. Februar 2016

Anmelder: Tokuyama Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016017480
Aktenzeichen: EP15827286
Anmeldetag: 21. Juli 2015
Veröffentlichung: 4. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38H01L21/329H01L29/207H01L29/47H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokuyama Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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