3D Resistive Memory

WO2016018412 Art A1 4. Februar 2016

Anmelder: Hewlett-Packard Development Company, L.P. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016018412
Aktenzeichen: EP14898531
Anmeldetag: 31. Juli 2014
Veröffentlichung: 4. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hewlett-Packard Development Company, L.P.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Hewlett-Packard

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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