Epitaxial metallic transition metal nitride layers for compound semiconductor devices

WO2016019102 Art A1 4. Februar 2016

Anmelder: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016019102
Aktenzeichen: EP15827306
Anmeldetag: 30. Juli 2015
Veröffentlichung: 4. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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