Semiconductor device

WO2016021061 Art A1 11. Februar 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016021061
Aktenzeichen: EP14899317
Anmeldetag: 8. August 2014
Veröffentlichung: 11. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/82H01L21/8234H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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