Method for final polishing of silicon wafer, and silicon wafer
WO2016021117
Art A1
11. Februar 2016
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016021117
- Aktenzeichen
- EP15829366
- Anmeldetag
- 13. Juli 2015
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/304B24B37/00B24B37/24C09K3/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Vertreten von
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