Through-electrode substrate, method for manufacturing same, and semiconductor device in which through-electrode substrate is used

WO2016021397 Art A1 11. Februar 2016

Anmelder: Dai Nippon Printing Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016021397
Aktenzeichen: EP15829622
Anmeldetag: 21. Juli 2015
Veröffentlichung: 11. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H05K1/11H01L21/3205H01L21/768H01L23/32H01L23/522H05K3/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Dai Nippon Printing Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Dai Nippon Printing

Japanisches Unternehmen der Druckindustrie mit Sitz in Tokio, das sich über klassische Druckerzeugnisse hinaus in Elektronikmaterialien, Displaykomponenten und Verpackungslösungen diversifiziert hat.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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