Magnetoresistance effect element and magnetic memory device
WO2016021468
Art A1
11. Februar 2016
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016021468
- Aktenzeichen
- EP15830192
- Anmeldetag
- 29. Juli 2015
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01L21/8246H01L27/105H01L29/82H01L43/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.