Ion-beam device and ion-beam irradiation method

WO2016021484 Art A1 11. Februar 2016

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016021484
Aktenzeichen: EP15829599
Anmeldetag: 31. Juli 2015
Veröffentlichung: 11. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01J27/26H01J37/08H01J37/18H01J37/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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