Field effect transistor and sensor using same

WO2016021693 Art A1 11. Februar 2016

Anmelder: Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha, Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016021693
Aktenzeichen: EP15829205
Anmeldetag: 6. August 2015
Veröffentlichung: 11. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786B82Y30/00G01N27/414H01L21/205H01L21/31H01L21/336H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha
Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nippon Kayaku

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Spezialchemikalien, Pharmazeutika und Farbstoffe.

1.397 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

2.434 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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