A method of modifying epitaxial growth shape on source drain area of transistor

WO2016022260 Art A1 11. Februar 2016

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016022260
Aktenzeichen: EP15830644
Anmeldetag: 14. Juli 2015
Veröffentlichung: 11. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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