Free electron laser radiation source for the euv

WO2016023740 Art A2 18. Februar 2016

Anmelder: ASML Netherlands B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016023740
Aktenzeichen: EP15742265
Anmeldetag: 27. Juli 2015
Veröffentlichung: 18. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01S3/09

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ASML Netherlands B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 ASML

Niederländisches Unternehmen, das Lithografiesysteme und weitere Anlagen für die Halbleiterfertigung entwickelt und herstellt, zentral für die Chipindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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