Verfahren zum Erzeugen von Dotierbereichen in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes

WO2016023780 Art A1 18. Februar 2016

Anmelder: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung E.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016023780
Aktenzeichen: EP15750014
Anmeldetag: 3. August 2015
Veröffentlichung: 18. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L21/265H01L31/18H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung E.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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