Semi-floating-gate power device and manufacturing method therefor

WO2016026322 Art A1 25. Februar 2016

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016026322
Aktenzeichen: EP15834497
Anmeldetag: 22. April 2015
Veröffentlichung: 25. Februar 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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