Method for manufacturing thermal bimorph diaphragm and mems speaker with thermal bimorphs

WO2016029357 Art A1 3. März 2016

Anmelder: Goertek Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016029357
Aktenzeichen: EP14900403
Anmeldetag: 26. August 2014
Veröffentlichung: 3. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H04R31/00H04R7/00H04R7/06H04R9/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Goertek Inc.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Goertek

Chinesischer Elektronikhersteller mit Sitz in Weifang, spezialisiert auf akustische Komponenten, Mikrofone und Zulieferteile für Unterhaltungselektronik.

1.933 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Nachrichtentechnik & Telekommunikation

Vertreten von