Semiconductor device

WO2016030942 Art A1 3. März 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016030942
Aktenzeichen: EP14900826
Anmeldetag: 25. August 2014
Veröffentlichung: 3. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H04B1/48

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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