Bias generation circuit, voltage generation circuit, communication device, and radar device

WO2016031127 Art A1 3. März 2016

Anmelder: Socionext Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2016031127
Aktenzeichen
EP15836828
Anmeldetag
17. Juli 2015
Veröffentlichung
3. März 2016
Rechtsraum
WO
IPC
H03M1/66G05F1/10
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Socionext Inc.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Socionext

Socionext ist ein japanischer Fabless-Halbleiterhersteller, der 2015 aus den System-LSI-Sparten von Fujitsu und Panasonic hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Elektronik und Schaltungstechnik, ergänzt durch Nachrichtentechnik und Software. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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