Silicon single crystal manufacturing method
WO2016031891
Art A1
3. März 2016
Anmelder: Tokuyama Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016031891
- Aktenzeichen
- EP15836232
- Anmeldetag
- 27. August 2015
- Veröffentlichung
- 3. März 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokuyama Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
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