Ferroelectric thin film, electronic device, and production method

WO2016031986 Art A1 3. März 2016

Anmelder: Tokyo Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016031986
Aktenzeichen: EP15835911
Anmeldetag: 28. August 2015
Veröffentlichung: 3. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/22C01G27/00C23C14/08H04R17/00C04B35/00C04B35/48C04B35/50

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.

739 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation

Vertreten von