Gate insulating film of thin film transistor, containing polysilazane compound, and thin film transistor comprising same
WO2016032212
Art A1
3. März 2016
Anmelder: Korea Research Institute of Chemical Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016032212
- Aktenzeichen
- EP15835056
- Anmeldetag
- 25. August 2015
- Veröffentlichung
- 3. März 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C08L83/14C08L83/16H01L51/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Research Institute of Chemical Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Korea Research Institute of Chemical Technology
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon, tätig in der Entwicklung von Chemikalien, Materialien und Verfahrenstechnik.
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