Method and optoelectronic structure providing polysilicon photonic devices with different optical properties in different regions

WO2016033111 Art A2 3. März 2016

Anmelder: Micron Technology, Inc., Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016033111
Aktenzeichen: EP15836296
Anmeldetag: 25. August 2015
Veröffentlichung: 3. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G02B6/122G02B6/13

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Micron Technology, Inc.
Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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