Zinc oxide substrate and method for producing group 13 nitride crystal using same
WO2016035417
Art A1
10. März 2016
Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016035417
- Aktenzeichen
- EP15837425
- Anmeldetag
- 16. Juni 2015
- Veröffentlichung
- 10. März 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C23C16/34C30B25/18H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK Insulators, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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