Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2016035625
Art A1
10. März 2016
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016035625
- Aktenzeichen
- EP15838656
- Anmeldetag
- 26. August 2015
- Veröffentlichung
- 10. März 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3205H01L21/288H01L21/60H01L21/768H01L23/522H01L25/065H01L25/07H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
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