Magnetic structure, inductance element, method for manufacturing inductance element, substrate having built-in electrode, method for manufacturing substrate having built-in electrode, interposer, shield substrate, and module

WO2016035818 Art A1 10. März 2016

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016035818
Aktenzeichen: EP15837414
Anmeldetag: 2. September 2015
Veröffentlichung: 10. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01F17/04H01F27/36

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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