Semiconductor device manufacturing method

WO2016035925 Art A1 10. März 2016

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016035925
Aktenzeichen: EP14901441
Anmeldetag: 28. Oktober 2014
Veröffentlichung: 10. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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