Phosphorus Or Arsenic Ion Implantation Utilizing Enhanced Source Techniques
WO2016036512
Art A1
10. März 2016
Anmelder: Entegris, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016036512
- Aktenzeichen
- EP15838489
- Anmeldetag
- 19. August 2015
- Veröffentlichung
- 10. März 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Entegris, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Entegris
US-amerikanischer Hersteller von Spezialmaterialien und Filtrationslösungen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Massachusetts.
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