Semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

WO2016038709 Art A1 17. März 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016038709
Aktenzeichen: EP14901555
Anmeldetag: 11. September 2014
Veröffentlichung: 17. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/28

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von