Method for manufacturing semiconductor device

WO2016042433 Art A1 24. März 2016

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016042433
Aktenzeichen: EP15842909
Anmeldetag: 4. September 2015
Veröffentlichung: 24. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G09F9/30H01L21/28H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8242H01L21/8247H01L27/088H01L27/092H01L27/105H01L27/108H01L27/115H01L27/14H01L27/146H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/786H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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