Nitride semiconductor template manufacturing method
WO2016042890
Art A1
24. März 2016
Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016042890
- Aktenzeichen
- EP15842683
- Anmeldetag
- 8. Juli 2015
- Veröffentlichung
- 24. März 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205C23C16/34C30B25/18C30B29/38H01L21/203H01L33/12H01L33/22H01L33/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Chemical Company, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Chemical
Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.
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