Semiconductor device manufacturing method, coating formation method, and coating formation device

WO2016042898 Art A1 24. März 2016

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016042898
Aktenzeichen: EP15842565
Anmeldetag: 10. Juli 2015
Veröffentlichung: 24. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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