Reverse Conduction Insulated Gate Bipolar Transistor

WO2016045373 Art A1 31. März 2016

Anmelder: Peking University Shenzhen Graduate School 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016045373
Aktenzeichen: EP15845257
Anmeldetag: 21. April 2015
Veröffentlichung: 31. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University Shenzhen Graduate School
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University Shenzhen Graduate School

Die Peking University Shenzhen Graduate School ist eine chinesische Hochschuleinrichtung mit Forschungsschwerpunkt in Shenzhen. Das Patentportfolio verteilt sich auf Nachrichtentechnik und Software, ergänzt um Medizintechnik, Halbleiterbauelemente und organische Chemie. Anmeldungen laufen von 2006 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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