Method for preparing nanoscale field effect transistor

WO2016045377 Art A1 31. März 2016

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016045377
Aktenzeichen: EP15844945
Anmeldetag: 24. April 2015
Veröffentlichung: 31. März 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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