Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten und Träger zum Aufwachsen von Halbleiterschichten
WO2016050605
Art A2
7. April 2016
Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016050605
- Aktenzeichen
- EP15770864
- Anmeldetag
- 24. September 2015
- Veröffentlichung
- 7. April 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Osram Opto Semiconductors Gmbh
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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