Semiconductor Comprising Gallium Doped Zinc Cadmium Oxide

WO2016050809 Art A1 7. April 2016

Anmelder: Danmarks Tekniske Universitet 🇩🇰

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016050809
Aktenzeichen: EP15771110
Anmeldetag: 29. September 2015
Veröffentlichung: 7. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C01G11/00H01L31/0224H01L31/0296H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Danmarks Tekniske Universitet
Land: 🇩🇰 Dänemark

🇩🇰 Danmarks Tekniske Universitet

Dänische Technische Universität mit Sitz in Kongens Lyngby (DK), eine der führenden Ingenieurs- und Naturwissenschaftshochschulen des Landes. Die Patente stammen aus universitärer Forschung in Technik und Naturwissenschaften.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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