Epitaxial substrate for semiconductor element and method for manufacturing same

WO2016051935 Art A1 7. April 2016

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016051935
Aktenzeichen: EP15847083
Anmeldetag: 22. Juli 2015
Veröffentlichung: 7. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/20H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

4.049 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von